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LH-1 GPS導航晶振,DSA211SDN,壓控溫補晶振,1XXC20000MAA,大真空2016晶振

DSA211SDN系列中的1XXC20000MAA晶振的尺寸為2.0x1.6mm，是2016晶振，頻率是20.000MHZ，日本進口晶振，支持低電壓，低相位噪聲，單封裝結(jié)構(gòu)，用途為手機、GPS/GNSS、工業(yè)無線電通信等，符合 ROHS/無鉛。VC-TCXO晶振應用：智能手機晶體、無線基站、精密儀器、GPS衛(wèi)星、汽車應用等。日本KDS晶振，大真空有源振蕩器，有源貼片晶振，石英有源晶振，2016mm有源晶振，壓控溫補晶振，GPS導航晶振，大真空2016晶振。

株式會社-大真空（簡稱KDS,即商標）是全球領(lǐng)先的晶振制造商之一，成立于1959年，已有51年歷史。ISO9001、ISO14001、ISO/16949等國際體系認證是KDS品質(zhì)和信譽的保證。KDS晶振主要生產(chǎn)溫補晶振（TCXO）、恒溫晶振（OCXO）、壓控晶振（VCXO）、時鐘晶振（SPXO）、晶體諧振器（Crystal Resonators）、晶體濾波器（Crystal Filters）等產(chǎn)品；其產(chǎn)品廣泛用于手機、對講機、GPS/北斗定位儀、汽車電子系統(tǒng)、倒車雷達、小型基站、LTE、RFID、激光測距儀、筆記本、平板電腦、數(shù)字集群通信系統(tǒng)、儀器儀表等領(lǐng)域。

LH-2 GPS導航晶振,DSA211SDN,壓控溫補晶振,1XXC20000MAA,大真空2016晶振

類型		DSA211SDN （VC-TCXO）
頻率范圍		12.288 至 52MHz
標準頻率		19.2MHz/26MHz/38.4MHz/40MHz/52MHz
電源電壓范圍		+1.68 至 +3.5V
電源電壓（VCC)		+1.8V / +2.6V / +2.8V / +3.0V / +3.3V
電流消耗		最大 +1.5mA （f≦26MHz）/最大 +2.0mA （26<f≦52MHz）
輸出電平		最小 0.8Vp-p （f≦52MHz）（削波正弦波/直流耦合）
輸出負載		10kΩ//10pF
頻率穩(wěn)定性	寬容	±1.5×10-6以下（2次回流焊后）
	與溫度	±1.0×10-6，±2.5×10-6最大值/-30 至 +85°C
		±1.0×10-6，±2.5×10-6最大值/-40 至 +85°C（可選）
	與電源電壓	最大 ±0.2×10-6（VCC±5%）
	與負載變化	最大 ±0.2×10-6（10kΩ//10pF±10%）
	vs. 衰老	±1.0×10-6最大值/年
頻率控制	控制靈敏度	±3.0×10-6至 ±5.0×10-6/Vcont=+1.4V±1V @VCC≧ +2.6V
		±3.0×10-6 至±5.0×10-6/Vcont=+0.9V±0.6V @VCC=+1.8V
	響應斜率	陽性
啟動時間		最大 2.0ms
相位噪聲		[f≦26MHz]	[26MHz<f≦40MHz]	[40MHz<f≦52MHz]
偏移 100Hz		-115dBc/Hz	-110dBc/Hz	-105dBc/Hz
偏移 1kHz		-130dBc/Hz	-130dBc/Hz	-125dBc/Hz
偏移 10kHz 偏移 100kHz		-150dBc/Hz	-150dBc/Hz	-145dBc/Hz
		-155dBc/Hz	-155dBc/Hz	-150dBc/Hz
包裝單位		3000 個/卷（Φ180）

DSA1612SDN，DSA211SDN,DSA221SDN,DSA321SDN,DSB1612SDN,DSB211SDN,DSB221SDN,DSB321SDN

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LH-4 GPS導航晶振,DSA211SDN,壓控溫補晶振,1XXC20000MAA,大真空2016晶振

所有晶振產(chǎn)品的共同點
1、抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。
2、輻射
暴露于輻射環(huán)境會導致產(chǎn)品性能受到損害，因此應避免照射。
3、化學制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
4、粘合劑
請勿使用可能導致產(chǎn)品所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
5、鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時，請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
6、靜電
過高的靜電可能會損壞產(chǎn)品，請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候，請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路，并進行接地操作。

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